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RF FET、MOSFET
制造商
系列
包装
状态
包装/箱
额定电流(安培)
安装类型
频率
配置
功率输出
获得
技术
噪声系数
供应商设备包
年级
额定电压
电压 - 测试
当前-测试
资质
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3,801 结果
制造商零件编号 数量 价格 系列 包装 状态 包装/箱 额定电流(安培) 安装类型 频率 配置 功率输出 获得 技术 噪声系数 供应商设备包 年级 额定电压 电压 - 测试 当前-测试 资质
42
In Stock
1 : ¥716.40
10 : ¥7,052.90
Tray
Tray
Active
440226 - - 2.7GHz ~ 3.1GHz - 500W 15dB HEMT - 440226 - 50 V 50 V 500 mA -
67
In Stock
1 : ¥317.32
10 : ¥3,039.10
Tray
GaN
Tray
Active
440224 - - 4.4GHz ~ 5.9GHz - 76W 13.3dB HEMT - 440224 - 150 V 50 V 150 mA -
70
In Stock
1 : ¥63.39
10 : ¥595.50
95 : ¥5,073.00
Tube
Tube
Active
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 9.5A Surface Mount 0Hz ~ 4GHz - 37dBm 13dB HEMT - 8-SOIC-EP - 100 V 28 V 350 mA -
57
In Stock
1 : ¥119.42
10 : ¥1,137.70
50 : ¥5,567.50
Tray
GaN
Tray
Active
440166 - - 3GHz - 30W 14.5dB HEMT - 440166 - 84 V 28 V 150 mA -
425
In Stock
1 : ¥46.77
20 : ¥872.80
40 : ¥1,672.40
80 : ¥3,031.20
240 : ¥8,779.20
Tray
Tray
Active
211-07 2.5A - 400MHz N-Channel 15W 16dB MOSFET (Metal Oxide) 1dB 211-07, Style 2 - 65 V 28 V 25 mA -
70
In Stock
10 : ¥936.00
30 : ¥2,731.50
100 : ¥8,468.00
Tray
GaN
Tray
Active
Die - - 8GHz - 30W 16.5dB HEMT - Die - 84 V 28 V 200 mA -
100
In Stock
10 : ¥395.70
30 : ¥1,137.30
100 : ¥3,436.00
250 : ¥8,292.50
Tray
GaN
Tray
Active
Die - - 6GHz - 8W 15dB HEMT - Die - 84 V 28 V 100 mA -
31
In Stock
1 : ¥144.01
10 : ¥1,379.20
60 : ¥8,092.80
Tray
GaN
Tray
Active
440166 3A - 5.5GHz ~ 5.8GHz - 30W 10dB HEMT - 440166 - 84 V 28 V 250 mA -
67
In Stock
1 : ¥50.54
10 : ¥474.80
30 : ¥1,378.50
80 : ¥3,406.40
230 : ¥9,510.50
Tray
Tray
Active
249-06 1A - 30MHz ~ 500MHz N-Channel 4W 18dB MOSFET (Metal Oxide) - 249-06, Style 3 - 65 V 28 V 50 mA -
96
In Stock
1 : ¥323.56
10 : ¥3,098.80
25 : ¥7,576.25
Tray
GaN
Tray
Active
440206 8.7A - 0Hz ~ 4GHz - 116W 11dB HEMT - 440206 - 125 V 50 V 600 mA -