IV1Q12050T3

零件编号	IV1Q12050T3
制造商	Inventchip Technology
其它零件编号	4084-IV1Q12050T3-ND 4084-IV1Q12050T3
描述	SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
详细描述	N-Channel 1200 V 58A (Tc) 327W (Tc) Through Hole TO-247-3
原厂标准交货期	12 weeks
规格书	Datasheet

分类		分立半导体产品晶体管 FET、MOSFET 单 FET、MOSFET
制造商		Inventchip Technology
系列
包装		管子
状态		Active
包装/箱		TO-247-3
安装类型		Through Hole
工作温度		-55°C ~ 175°C (TJ)
技术		SiCFET (Silicon Carbide)
场效应管类型		N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C		58A (Tc)
Rds On（最大）@Id、Vgs		65mOhm @ 20A, 20V
功耗（最大）		327W (Tc)
Vgs(th)（最大值）@Id		3.2V @ 6mA
供应商设备包		TO-247-3
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）		20V
Vgs（最大）		+20V, -5V
漏源电压 (Vdss)		1200 V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs		120 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds		2770 pF @ 800 V

资源类型		链接
规格书		IV1Q12050T3

数量

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