VS-40MT120PHAPBF - Vishay General Semiconductor – Diodes Division

00852-27551101

VS-40MT120PHAPBF

VS-40MT120PHAPBF

零件编号	VS-40MT120PHAPBF
制造商	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
其它零件编号	112-VS-40MT120PHAPBF-ND 112-VS-40MT120PHAPBF
描述	MTP - HALF BRIDGE IGBT
详细描述	IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 75 A 305 W Through Hole 12-MTP
原厂标准交货期	20 weeks

产品属性

分类		分立半导体产品晶体管 IGBT IGBT模块
制造商		Vishay General Semiconductor – Diodes Division
系列
包装		管子
状态		Active
包装/箱		12-MTP Module
安装类型		Through Hole
输入		Standard
配置		Half Bridge
工作温度		-40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic		2.65V @ 15V, 40A
NTC热敏电阻		No
供应商设备包		12-MTP
IGBT类型		Trench Field Stop
集电极电流 (Ic)（最大）		75 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）		1200 V
功率 - 最大		305 W
电流 - 集电极截止（最大）		50 µA
输入电容 (Cies) @ Vce		3.2 nF @ 25 V

媒体和下载

资源类型		链接
规格书		VS-40MT120PHAPBF
PCN 设计/规格		VS-xxxMTxxxP Series DESIGN 14/Nov/2023

环境与出口分类

属性		描述
ECCN		EAR99
HTSUS		8541.29.0095
湿气敏感性等级 (MSL)		1 (Unlimited)
REACH 状态		REACH Unaffected
RoHS 状态		符合 RoHS 规范

现货: 116

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