VS-GT100DA120UF - Vishay General Semiconductor – Diodes Division

00852-27551101

VS-GT100DA120UF

VS-GT100DA120UF

零件编号	VS-GT100DA120UF
制造商	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
其它零件编号	VS-GT100DA120UF-ND
描述	IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227
详细描述	IGBT Module Trench Single 1200 V 187 A 890 W Chassis Mount SOT-227
原厂标准交货期	16 weeks
规格书	Datasheet

产品属性

分类		分立半导体产品晶体管 IGBT IGBT模块
制造商		Vishay General Semiconductor – Diodes Division
系列		HEXFRED®
包装		大部分
状态		Active
包装/箱		SOT-227-4, miniBLOC
安装类型		Chassis Mount
输入		Standard
配置		Single
工作温度		-40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic		2.55V @ 15V, 100A
NTC热敏电阻		No
供应商设备包		SOT-227
IGBT类型		Trench
集电极电流 (Ic)（最大）		187 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）		1200 V
功率 - 最大		890 W
电流 - 集电极截止（最大）		100 µA
输入电容 (Cies) @ Vce		6.15 nF @ 25 V

媒体和下载

资源类型		链接
规格书		VS-GT100DA120UF
PCN Assembly/Origin		Wafer diameter change 07/Nov/2022

环境与出口分类

属性		描述
ECCN		EAR99
HTSUS		8541.29.0095
湿气敏感性等级 (MSL)		1 (Unlimited)
REACH 状态		REACH Unaffected
RoHS 状态		符合 RoHS 规范

现货: 195

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