VS-GT100TS065N - Vishay General Semiconductor – Diodes Division

00852-27551101

VS-GT100TS065N

VS-GT100TS065N

零件编号	VS-GT100TS065N
制造商	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
其它零件编号	112-VS-GT100TS065N-ND 112-VS-GT100TS065N
描述	MODULES IGBT - IAP IGBT
详细描述	IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge Inverter 650 V 96 A 259 W Chassis Mount INT-A-PAK IGBT
原厂标准交货期	15 weeks

产品属性

分类		分立半导体产品晶体管 IGBT IGBT模块
制造商		Vishay General Semiconductor – Diodes Division
系列
包装		盒子
状态		Active
包装/箱		Module
安装类型		Chassis Mount
输入		Standard
配置		Half Bridge Inverter
工作温度		-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic		2.3V @ 15V, 100A
NTC热敏电阻		No
供应商设备包		INT-A-PAK IGBT
IGBT类型		Trench Field Stop
集电极电流 (Ic)（最大）		96 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）		650 V
功率 - 最大		259 W
电流 - 集电极截止（最大）		50 µA

媒体和下载

资源类型		链接
规格书		VS-GT100TS065N
特色产品		VS-GTxxxTS065x Half-Bridge, High-Speed and Low VCE(ON) IGBT Power Modules

环境与出口分类

属性		描述
ECCN		EAR99
HTSUS		8541.29.0095
湿气敏感性等级 (MSL)		1 (Unlimited)
REACH 状态		REACH Unaffected
RoHS 状态		符合 RoHS 规范

现货: 12

可立即发货

数量

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