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单 FET、MOSFET
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电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
Rds On(最大)@Id、Vgs
场效应管特性
功耗(最大)
Vgs(th)(最大值)@Id
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驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
Vgs(最大)
漏源电压 (Vdss)
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds
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1,862 结果
制造商零件编号 数量 价格 系列 包装 状态 包装/箱 安装类型 工作温度 技术 场效应管类型 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C Rds On(最大)@Id、Vgs 场效应管特性 功耗(最大) Vgs(th)(最大值)@Id 供应商设备包 年级 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Vgs(最大) 漏源电压 (Vdss) 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 资质
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HTMOS™
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4-SIP Through Hole -55°C ~ 225°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel - 400mOhm @ 100mA, 5V - 50W (Tj) 2.4V @ 100µA 4-Power Tab - 5V 10V 55 V 4.3 nC @ 5 V 290 pF @ 28 V -
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HTMOS™
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8-CDIP Exposed Pad Through Hole -55°C ~ 225°C (TJ) MOSFET (Metal Oxide) N-Channel - 400mOhm @ 100mA, 5V - 50W (Tj) 2.4V @ 100µA 8-CDIP-EP - 5V 10V 55 V 4.3 nC @ 5 V 290 pF @ 28 V -
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- Through Hole - MOSFET (Metal Oxide) N-Channel - 400mOhm @ 100mA, 5V - 50W (Tj) 2.4V @ 100µA - - 5V 10V 55 V 4.3 nC @ 5 V 290 pF @ 28 V -
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HTMOS™
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8-CDIP Exposed Pad Through Hole - MOSFET (Metal Oxide) N-Channel - 400mOhm @ 100mA, 5V - 50W (Tj) 2.4V @ 100µA - - 5V 10V 55 V 4.3 nC @ 5 V 290 pF @ 28 V -
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