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00852-27551101
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2SD1230

2SD1230

零件编号
2SD1230
制造商 Sanyo Semiconductor/onsemi
其它零件编号
2156-2SD1230-ND
2156-2SD1230
ONSONS2SD1230
描述 POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
详细描述 Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20MHz 2.5 W Through Hole TO-3PB
规格书 Datasheet

产品属性

分类
制造商 Sanyo Semiconductor/onsemi
系列
包装
大部分
状态 Active
包装/箱 TO-3P-3, SC-65-3
安装类型 Through Hole
晶体管类型 NPN - Darlington
工作温度 150°C (TJ)
Vce 饱和度（最大值）@Ib、Ic 1.5V @ 8mA, 4A
电流 - 集电极截止（最大） 100µA (ICBO)
直流电流增益 (hFE)（最小值）@ Ic、Vce 1500 @ 4A, 3V
频率-转变 20MHz
供应商设备包 TO-3PB
集电极电流 (Ic)（最大） 8 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 100 V
功率 - 最大 2.5 W

媒体和下载

资源类型 链接
规格书 2SD1230

环境与出口分类

属性 描述
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
湿气敏感性等级 (MSL) 1 (Unlimited)
REACH 状态 Vendor Undefined
RoHS 状态 符合 RoHS 规范

可订购

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