BSDH06G65E2 - J.W. Miller / Bourns

00852-27551101

BSDH06G65E2

BSDH06G65E2

零件编号	BSDH06G65E2
制造商	J.W. Miller / Bourns
其它零件编号	118-BSDH06G65E2-ND 118-BSDH06G65E2
描述	DIODE SCHOT SIC 650V 6A TO220-2
详细描述	Diode 650 V 6A Through Hole TO-220-2
原厂标准交货期	24 weeks
规格书	Datasheet

产品属性

分类		分立半导体产品二极管整流器单二极管
制造商		J.W. Miller / Bourns
系列
包装		管子
状态		Active
包装/箱		TO-220-2
安装类型		Through Hole
速度		No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间 (trr)		0 ns
技术		SiC (Silicon Carbide) Schottky
电容@Vr, F		201pF @ 1V, 1MHz
电流 - 平均整流 (Io)		6A
供应商设备包		TO-220-2
工作温度 - 结		-55°C ~ 175°C
电压 - 直流反向 (Vr)（最大）		650 V
电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If		1.7 V @ 6 A
电流 - 反向漏电流@Vr		30 µA @ 650 V

媒体和下载

资源类型		链接
规格书		BSDH06G65E2
特色产品		Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBDs) – BSD Series

环境与出口分类

属性		描述
ECCN		EAR99
HTSUS		8541.10.0080
湿气敏感性等级 (MSL)		不支持
REACH 状态		REACH Unaffected
RoHS 状态		符合 RoHS 规范

现货: 3000

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