CMZ36(TE12L,Q,M) - Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

00852-27551101

CMZ36(TE12L,Q,M)

CMZ36(TE12L,Q,M)

零件编号	CMZ36(TE12L,Q,M)
制造商	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
其它零件编号	264-CMZ36(TE12L,Q,M)TR-ND 264-CMZ36(TE12L,Q,M)CT-ND 264-CMZ36(TE12L,Q,M)DKR-ND 264-CMZ36(TE12L,Q,M)TR 264-CMZ36(TE12LQM)TR-ND 264-CMZ36(TE12L,Q,M)CT 264-CMZ36(TE12L,Q,M)TR-ND 264-CMZ36(TE12LQM)TR 264-CMZ36(TE12L,Q,M)DKR
描述	PB-F ZENER DIODE M-FLAT MOQ=3000
详细描述	Zener Diode 36 V 2 W ±10% Surface Mount M-FLAT (2.4x3.8)
原厂标准交货期	16 weeks
规格书	Datasheet

产品属性

分类		分立半导体产品二极管齐纳单齐纳二极管
制造商		Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
系列
包装		卷带式 (TR) 切带 (CT)
状态		Active
宽容		±10%
包装/箱		SOD-128
安装类型		Surface Mount
工作温度		-40°C ~ 150°C (TJ)
电压 - 齐纳二极管（标称）(Vz)		36 V
阻抗（最大）(Zzt)		30 Ohms
供应商设备包		M-FLAT (2.4x3.8)
功率 - 最大		2 W
电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If		1.2 V @ 200 mA
电流 - 反向漏电流@Vr		10 µA @ 28.8 V

媒体和下载

资源类型		链接
规格书		CMZ36(TE12L,Q,M)

环境与出口分类

属性		描述
ECCN		EAR99
HTSUS		8541.10.0050
湿气敏感性等级 (MSL)		1 (Unlimited)
RoHS 状态		符合 RoHS 规范

现货: 4786

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