零件编号 |
NTE2370
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制造商 | NTE Electronics, Inc |
其它零件编号 |
2368-NTE2370-ND
2368-NTE2370
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描述 | TRANS PREBIAS PNP 50V TO92S |
详细描述 | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Through Hole TO-92S |
分类 | ||
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制造商 | NTE Electronics, Inc | |
系列 | ||
包装 |
包
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状态 | Active | |
包装/箱 | TO-226-3, TO-92-3 Short Body | |
安装类型 | Through Hole | |
晶体管类型 | PNP - Pre-Biased | |
Vce 饱和度(最大值)@Ib、Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
电流 - 集电极截止(最大) | 500nA | |
直流电流增益 (hFE)(最小值)@ Ic、Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
供应商设备包 | TO-92S | |
集电极电流 (Ic)(最大) | 100 mA | |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 50 V | |
功率 - 最大 | 200 mW | |
频率-转变 | 200 MHz | |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | |
电阻器 - 发射极基极 (R2) | 4.7 kOhms |
资源类型 | 链接 | |
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规格书 | NTE2370 | |
Environmental Information | RoHS Statement | |
Environmental Information | REACH Statement | |
HTML 规格书 | NTE23xx Datasheet |
属性 | 描述 | |
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ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.21.0095 | |
RoHS 状态 | RoHS non-compliant |
数量 | 单价 | 总价 |
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