NXH100B120H3Q0PG - Sanyo Semiconductor/onsemi

00852-27551101

NXH100B120H3Q0PG

NXH100B120H3Q0PG

零件编号	NXH100B120H3Q0PG
制造商	Sanyo Semiconductor/onsemi
其它零件编号	5556-NXH100B120H3Q0PG-ND 488-NXH100B120H3Q0PG 5556-NXH100B120H3Q0PG 488-NXH100B120H3Q0PG-ND
描述	PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
详细描述	IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 61 A 186 W Chassis Mount 22-PIM (55x32.5)
原厂标准交货期	45 weeks
规格书	Datasheet

产品属性

分类		分立半导体产品晶体管 IGBT IGBT模块
制造商		Sanyo Semiconductor/onsemi
系列
包装		托盘
状态		Active
包装/箱		Module
安装类型		Chassis Mount
输入		Standard
配置		2 Independent
工作温度		-40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic		2.3V @ 15V, 50A
NTC热敏电阻		No
供应商设备包		22-PIM (55x32.5)
IGBT类型		Trench Field Stop
集电极电流 (Ic)（最大）		61 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）		1200 V
功率 - 最大		186 W
电流 - 集电极截止（最大）		200 µA
输入电容 (Cies) @ Vce		9.075 nF @ 20 V

媒体和下载

资源类型		链接
规格书		NXH100B120H3Q0PG
PCN Assembly/Origin		Wafer Fab Change 27/Dec/2022

环境与出口分类

属性		描述
ECCN		EAR99
HTSUS		8541.29.0095
湿气敏感性等级 (MSL)		不支持
REACH 状态		REACH Unaffected
RoHS 状态		符合 RoHS 规范

现货: 24

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