RGT8TM65DGC9 - ROHM Semiconductor

00852-27551101

RGT8TM65DGC9

RGT8TM65DGC9

零件编号	RGT8TM65DGC9
制造商	ROHM Semiconductor
其它零件编号	RGT8TM65DGC9-ND
描述	IGBT TRENCH FLD 650V 5A TO220NFM
详细描述	IGBT Trench Field Stop 650 V 5 A 16 W Through Hole TO-220NFM
原厂标准交货期	22 weeks
规格书	Datasheet

产品属性

分类		分立半导体产品晶体管 IGBT 单 IGBT
制造商		ROHM Semiconductor
系列
包装		管子
状态		Active
包装/箱		TO-220-3 Full Pack
安装类型		Through Hole
工作温度		-40°C ~ 175°C (TJ)
输入类型		Standard
反向恢复时间 (trr)		40 ns
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic		2.1V @ 15V, 4A
供应商设备包		TO-220NFM
IGBT类型		Trench Field Stop
Td（开/关）@ 25°C		17ns/69ns
测试条件		400V, 4A, 50Ohm, 15V
栅极电荷		13.5 nC
集电极电流 (Ic)（最大）		5 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）		650 V
集电极脉冲电流 (Icm)		12 A
功率 - 最大		16 W

媒体和下载

资源类型		链接
规格书		RGT8TM65DGC9
产品培训模块		High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations
产品培训模块		Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers
产品培训模块		Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)

环境与出口分类

属性		描述
ECCN		EAR99
HTSUS		8541.29.0095
湿气敏感性等级 (MSL)		1 (Unlimited)
REACH 状态		REACH Unaffected
RoHS 状态		符合 RoHS 规范

现货: 867

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包装	数量	单价	总价
{{ p.name }}	{{ numberFormat(p.buyQty) }}	{{ priceFormat(p.unitPrice) }}	{{ priceFormat(p.totalPrice) }}
总金额： {{ priceFormat(quotes.total) }} (including {{ priceFormat(quotes.fee) }} fee)

{{ package.name }}

数量	单价	总价
{{ numberFormat(price.break_quantity) }}	{{ priceFormat(price.unit_price) }}	{{ priceFormat(price.break_quantity * price.unit_price) }}

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