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00852-27551101
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RGW60TS65HRC11

RGW60TS65HRC11

零件编号
RGW60TS65HRC11
制造商 ROHM Semiconductor
其它零件编号
846-RGW60TS65HRC11-ND
846-RGW60TS65HRC11
描述 IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
详细描述 IGBT Trench Field Stop 650 V 64 A 178 W Through Hole TO-247N
原厂标准交货期 22 weeks
规格书 Datasheet

产品属性

分类
制造商 ROHM Semiconductor
系列
包装
管子
状态 Active
包装/箱 TO-247-3
安装类型 Through Hole
工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
输入类型 Standard
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
供应商设备包 TO-247N
IGBT类型 Trench Field Stop
Td（开/关）@ 25°C 36ns/107ns
测试条件 400V, 15A, 10Ohm, 15V
栅极电荷 84 nC
集电极电流 (Ic)（最大） 64 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 650 V
集电极脉冲电流 (Icm) 120 A
功率 - 最大 178 W

媒体和下载

资源类型 链接
规格书 RGW60TS65HRC11
产品培训模块 High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations
产品培训模块 Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers
产品培训模块 Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)

环境与出口分类

属性 描述
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095
湿气敏感性等级 (MSL) 1 (Unlimited)
REACH 状态 REACH Unaffected
RoHS 状态 符合 RoHS 规范

现货: 450

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