RGWS80TS65GC13 - ROHM Semiconductor

00852-27551101

RGWS80TS65GC13

RGWS80TS65GC13

零件编号	RGWS80TS65GC13
制造商	ROHM Semiconductor
其它零件编号	846-RGWS80TS65GC13-ND 846-RGWS80TS65GC13
描述	IGBT TRENCH FS 650V 71A TO247G
详细描述	IGBT Trench Field Stop 650 V 71 A 202 W Through Hole TO-247G
原厂标准交货期	22 weeks
规格书	Datasheet

产品属性

分类		分立半导体产品晶体管 IGBT 单 IGBT
制造商		ROHM Semiconductor
系列
包装		管子
状态		Active
包装/箱		TO-247-3
安装类型		Through Hole
工作温度		-40°C ~ 175°C (TJ)
输入类型		Standard
Vce(on)（最大值）@Vge, Ic		2V @ 15V, 40A
供应商设备包		TO-247G
IGBT类型		Trench Field Stop
Td（开/关）@ 25°C		40ns/114ns
开关能量		700µJ (on), 660µJ (off)
测试条件		400V, 40A, 10Ohm, 15V
栅极电荷		83 nC
集电极电流 (Ic)（最大）		71 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）		650 V
集电极脉冲电流 (Icm)		120 A
功率 - 最大		202 W

媒体和下载

资源类型		链接
规格书		RGWS80TS65GC13
产品培训模块		Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs)
产品培训模块		Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers
产品培训模块		High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations

环境与出口分类

属性		描述
ECCN		EAR99
HTSUS		8541.29.0095
湿气敏感性等级 (MSL)		1 (Unlimited)
REACH 状态		REACH Unaffected
RoHS 状态		符合 RoHS 规范

现货: 600

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