零件编号 |
CDF56G6511N TR13 PBFREE
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制造商 | Central Semiconductor |
其它零件编号 |
1514-CDF56G6511NTR13PBFREETR-ND
1514-CDF56G6511NTR13PBFREECT-ND
1514-CDF56G6511NTR13PBFREEDKR-ND
1514-CDF56G6511NTR13PBFREEDKR
1514-CDF56G6511NTR13PBFREETR
1514-CDF56G6511NTR13PBFREECT
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描述 | 650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN |
详细描述 | N-Channel 650 V 11.5A (Tc) 1.1W (Ta), 84W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 8-DFN (5x6) |
原厂标准交货期 | 25 weeks |
规格书 | Datasheet |
分类 | ||
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制造商 | Central Semiconductor | |
系列 | ||
包装 |
卷带式 (TR)
切带 (CT)
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状态 | Active | |
包装/箱 | 8-PowerVDFN | |
安装类型 | Surface Mount, Wettable Flank | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
技术 | GaNFET (Gallium Nitride) | |
场效应管类型 | N-Channel | |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) | |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 190mOhm @ 3.9A, 6V | |
功耗(最大) | 1.1W (Ta), 84W (Tc) | |
Vgs(th)(最大值)@Id | 2.5V @ 12.2mA | |
供应商设备包 | 8-DFN (5x6) | |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 6V | |
Vgs(最大) | +7V, -1.4V | |
漏源电压 (Vdss) | 650 V | |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 2.8 nC @ 6 V | |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 96 pF @ 400 V |
资源类型 | 链接 | |
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规格书 | CDF56G6511N TR13 PBFREE | |
特色产品 | Gallium Nitride (GaN) N-Channel FETs |
属性 | 描述 | |
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ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1 (Unlimited) | |
REACH 状态 | REACH Unaffected | |
RoHS 状态 | 符合 RoHS 规范 |
数量 | 单价 | 总价 |
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