零件编号 |
NTE2932
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制造商 | NTE Electronics, Inc. |
其它零件编号 |
2368-NTE2932-ND
2368-NTE2932
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描述 | MOSFET N-CH 200V 21.3A TO3PML |
详细描述 | N-Channel 200 V 21.3A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-3PML |
规格书 | Datasheet |
分类 | ||
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制造商 | NTE Electronics, Inc. | |
系列 | ||
包装 |
包
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状态 | Active | |
包装/箱 | TO-3P-3 Full Pack | |
安装类型 | Through Hole | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
技术 | MOSFET (Metal Oxide) | |
场效应管类型 | N-Channel | |
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 21.3A (Tc) | |
Rds On(最大)@Id、Vgs | 85mOhm @ 10.65A, 10V | |
功耗(最大) | 90W (Tc) | |
Vgs(th)(最大值)@Id | 4V @ 250µA | |
供应商设备包 | TO-3PML | |
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | 10V | |
Vgs(最大) | ±20V | |
漏源电压 (Vdss) | 200 V | |
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs | 123 nC @ 10 V | |
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds | 3000 pF @ 25 V |
资源类型 | 链接 | |
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规格书 | NTE2932 | |
Environmental Information | RoHS Statement | |
Environmental Information | REACH Statement | |
HTML 规格书 | NTE2932 Datasheet |
属性 | 描述 | |
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ECCN | EAR99 | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
RoHS 状态 | RoHS non-compliant |
数量 | 单价 | 总价 |
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