QJD1210010

零件编号	QJD1210010
制造商	Powerex, Inc.
其它零件编号	QJD1210010-ND
描述	SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
详细描述	Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module
规格书	Datasheet

分类		分立半导体产品晶体管 FET、MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商		Powerex, Inc.
系列
包装		大部分
状态		Discontinued
包装/箱		Module
安装类型		Chassis Mount
配置		2 N-Channel (Dual)
工作温度		-40°C ~ 175°C (TJ)
技术		Silicon Carbide (SiC)
功率 - 最大		1080W
漏源电压 (Vdss)		1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C		100A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds		10200pF @ 800V
Rds On（最大）@Id、Vgs		25mOhm @ 100A, 20V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs		500nC @ 20V
Vgs(th)（最大值）@Id		5V @ 10mA
供应商设备包		Module

资源类型		链接
规格书		QJD1210010
规格书		Full SiC & Hybride SiC IGBTs Brief

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