QJD1210SA1

零件编号	QJD1210SA1
制造商	Powerex, Inc.
其它零件编号	QJD1210SA1-ND
描述	SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
详细描述	Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 520W Chassis Mount Module
规格书	Datasheet

分类		分立半导体产品晶体管 FET、MOSFET FET、MOSFET 阵列
制造商		Powerex, Inc.
系列
包装		大部分
状态		Obsolete
包装/箱		Module
安装类型		Chassis Mount
配置		2 N-Channel (Dual)
工作温度		-40°C ~ 150°C (TJ)
技术		Silicon Carbide (SiC)
功率 - 最大		520W
漏源电压 (Vdss)		1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C		100A
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds		8200pF @ 10V
Rds On（最大）@Id、Vgs		17mOhm @ 100A, 15V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs		330nC @ 15V
Vgs(th)（最大值）@Id		1.6V @ 34mA
供应商设备包		Module

资源类型		链接
规格书		QJD1210SA1
规格书		Next Generation Power Semiconductors Brief
HTML 规格书		QJD1210SA1 Preliminary Datasheet
HTML 规格书		Next Generation Power Semiconductors Brief

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